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- - A-DATA PC4800 TCCD DDR600 512MB 2.8V達成(非極限喔), 256MB單支上DDR620不稀奇,512MB才夠嗆~爽就PO極限
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A-DATA PC4800 TCCD DDR600 512MB 2.8V達成(非極限喔), 256MB單支上DDR620不稀奇,512MB才夠嗆~爽就PO極限
各位令人期待的A-DATA 512MB TCCD 三星顆粒再度創佳績 ,512MB 以2.8V 8-4-4-3 非極限輕鬆上 300Mhz (1:1) 達成頻寬 4434MB/s,直接看圖吧!! :D
測試平台: CPU 3.0EE(ES) M/B IC7-max3 MEM A-DATA TCCD PC4800(ES) 512MB 電壓如圖 再來雙通道,開PAT記憶體最佳化以 2.5V 5-2-2-2 達成 待續......:like: |
first Reply here... I want Buyer Privilege...^__^
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不知道雙通道下可以上到多少呢?
johnnyliu兄您就好人做到底側一下給大家聞香吧∼:p |
johnny兄既然拿到這種好東西
一定還有私藏不少好測試 板凳準備好了...:p 只是聽說A-DATA 512MB不會量產...:cry: |
期待,推~
這支我哈很久了 |
把DDR II 幹掉的DDR I :D
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引用:
等DDRII 衝到700以上+CL3以內.....情況因該會好轉... 但是現在....DDR2 還在533 CL4 ...... 1條512M DDR2 533可以買 將近 4條 512M DDR1 400 的記憶體.... |
引用:
嘻~來吧!!非極限喔.....:D DDR550 輕鬆上 275Mhz 2.65V 雙通道 8-4-4-3:like: 待續.......:p |
要不要測一下Memtest86+和Prime95:agree:
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引用:
OK!感謝 魚兄的建議:like: |
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