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michael2000 2007-03-22 12:37 PM

關於 DDR2 超頻,一點心得分享
 
由於最近一、二個月才開始接觸 DDR2 雙通道超頻(之前只用過 DDR 單通道),可能已有大大發表過,如有重複還請包含。

原本一直為 65nm AM2 3600+ X2 超頻所苦,在不斷嘗試的過程中,發現記憶體所插的插槽位置,對 DDR2 超頻極限甚至 CPU 外頻有非常明顯的的影響。

以前一直認為記憶體越靠近 CPU 越穩,但到了 DDR2 時代,實情似乎剛好相反,以我的 M55Plus-S3G 和 P5N-E SLI 來說,雖然主機板說明書建議先插 1-2 或 1-3,但我測試後卻發現:插 3-4 及 2-4,記憶體才有可能跑出版上很多大大所分享的高水準;插 1-2 或 1-3 反而會「落賽」,電壓加再多也無效。DDR2 超頻不如預期的網友不妨一試。

註:友通的記憶體插槽排列方式和其他廠牌似乎不同,不知適不適用。

michael2000 2007-03-23 08:16 PM

以上述原則重測 UMAX DDR2-667 512M*2:

在 M55Plus-S3G(BIOS FD) 的表現仍然不佳,但有網友說在他的 M2N-E 上表現很好,看來技嘉寫 BIOS 的功力還是不如華碩。

在 P5N-E SLI(BIOS 0307),UMAX 終於發揮應有的實力。固定參數為 5-5-5-15、變動參數為:

1.8V 1T 極限 410*2
1.8V 2T 極限 450*2

2.085V 1T 極限 450*2
2.085V 2T 極限 500*2

感覺上和 Hynix 顆粒有得比。不過金士頓跌好快,和 UMAX 的價差並不大。

shawn1225 2007-03-24 04:54 AM

我到是沒是過這個組合,來實驗看看..........

Jackie8900 2007-03-24 06:20 PM

我個人一直以為月進越好~
@@

michael2000 2007-03-24 08:19 PM

以前述原則在 P5N-E SLI(BIOS 0307) 再細測金士頓 DDR2-667 512M*2 Hynix 顆粒,
發現其特性蠻怪的。固定參數為 5-5-5-15、變動參數為:

電壓 AUTO、1T:極限 415*2。這也是 1T 的極限,加大壓也不能再進步,調 2T 才能繼續往上超。
電壓 AUTO、2T:極限 475*2。這應該是最能發揮 Hynix 顆粒價值的設定。
電壓 2.178V、2T:可上 500*2。極限懶得找,因「頻率增幅」相較於「電壓增幅」,邊際效用極低,相較於 UMAX 2.085V 就能上 500*2,沒有加壓的價值。

結論:
1.如果是 Intel 平台且主機板中有關記憶體加壓設定很保守者,很適合用 Hynix 顆粒。
2.ClockGen 和 Hynix 顆粒合不來(測半天才發現),若要軟超,不宜用 Hynix 顆粒。

註: P5N-E SLI BIOS 中 DDR2 電壓設定值有 AUTO、1.920、2.085、2.178 等,我測 UMAX 時是假設 AUTO 等於 1.8V,UMAX 的測試數據似乎也能證實這個假設。

michael2000 2007-03-25 11:57 AM

自己推翻上一篇:

電壓設 AUTO 未必是 1.8V,因不能用 ClockGen 測 Hynix 顆粒的極限,因此數據不像 UMAX 那麼線性,但 Hynix 顆粒還是怪怪,固定參數為 5-5-5-15、變動參數為:

1.920V 1T 極限 415*2:這還是 1T 的極限,加大壓也不能再進步,調 2T 才能繼續往上超。
1.920V 2T 極限 460*2
2.013V 2T 極限 470*2
2.085V 2T 極限 470*2:完全不能進步,真奇怪。
2.178V 2T 極限 500*2:突然又能上 500*2,更奇怪。
2.259V 2T 極限 507*2:這應該是 Hynix 顆粒的極限了吧?不敢再加壓了。

michael2000 2007-03-25 12:30 PM

承上篇,進一步測試:2.178V 2T 可上 500*2,卻不能上 485*2 及 490*2,關鍵應該是 DDR2 其他細部參數,寫 BIOS 的工程師可能有刻意放寬 500*2 的參數,才會有此結果。

另外,更新 BIOS 至 0505,Hynix 顆粒極限立即「落賽」,好累,不玩了。

firmware 2007-03-25 01:05 PM

引用:
作者michael2000
由於最近一、二個月才開始接觸 DDR2 雙通道超頻(之前只用過 DDR 單通道),可能已有大大發表過,如有重複還請包含。

原本一直為 65nm AM2 3600+ X2 超頻所苦,在不斷嘗試的過程中,發現記憶體所插的插槽位置,對 DDR2 超頻極限甚至 CPU 外頻有非常明顯的的影響。

以前一直認為記憶體越靠近 CPU 越穩,但到了 DDR2 時代,實情似乎剛好相反,以我的 M55Plus-S3G 和 P5N-E SLI 來說,雖然主機板說明書建議先插 1-2 或 1-3,但我測試後卻發現:插 3-4 及 2-4,記憶體才有可能跑出版上很多大大所分享的高水準;插 1-2 或 1-3 反而會「落賽」,電壓加再多也無效。DDR2 超頻不如預期的網友不妨一試。

註:友通的記憶體插槽排列方式和其他廠牌似乎不同,不知適不適用。



漂亮,這點我還沒想到..............

我用M57SLI-S4 (AM2平台,BIOS F7官方最新),說明書上也寫說假如只有插兩條的話,裝在DIMM-1跟2最好(DIMM-1/2是最靠近CPU socket)

另外一點,一般正規的DDR2-800模組 1GB x2,跑1T時極限大概是落在哪裡 ?
我的烙賽創見SEC顆粒只能跑DDR2-775 CL5 1T ........ :(

michael2000 2007-03-25 03:57 PM

不同顆粒的 1T 極限肯定不同;同主機板不同 BIOS 都有不同的表現,更不要說不同的主機板。

測這個很花時間,當記憶體超過頭,連 CPR 功能都死當,非拔電池不可,在已裝入機殼又一堆線交織的情況下,真是枯燥無趣,以後大概懶得再測了。

firmware 2007-03-25 04:24 PM

引用:
作者michael2000
不同顆粒的 1T 極限肯定不同;同主機板不同 BIOS 都有不同的表現,更不要說不同的主機板。

測這個很花時間,當記憶體超過頭,連 CPR 功能都死當,非拔電池不可,在已裝入機殼又一堆線交織的情況下,真是枯燥無趣,以後大概懶得再測了。



是呀,真的是很累呀~~~
我換到DIMM3/4之後..........................................還是一樣上不去DDR2-800 :shock:

把其他小參數調低乖乖跑DDR2-775 CL5 1T吧


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