所以我上面才會提到"某種程度的覆寫"

腦子..........

finalize後還可以寫入?

以紀錄媒體來說，要原SECTOR/BLOCK可以重複寫入才可以叫做「覆寫」

所以你的"某種程度的覆寫"可能是不成立的…

:rolleyes:

沒有這種東西
載體一旦毀掉就刪除了

如果毀掉不在選項內
就是CDR之類的了

心裡的創傷？

九二共識只要寫入中國人的記憶中是絕對無法更改的！

你搞錯了,他們寫入的是一個中國..

你的理解錯誤

透過特殊軟體依然可以讀到前一個1MB檔案，並沒有消失

只是隱藏不讓你看到而已


這個跟大量生產的光碟壓片一樣

是生產就寫死的東西

並不是使用者自行寫入之後才鎖死資料

所以不太符合樓主說的

有機電阻式記憶體？套句對岸的話，不明覺厲阿

http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/34779



本論文以聚甲基丙烯酸甲酯(poly (methyl methacrylate)， PMMA)為絕緣層製作混和式結構之有機電阻式記憶體元件。首先由聚甲基丙烯酸甲酯和聚三丁基噻吩(poly (3-butylthiophene)， P3BT)混和製作有機電阻式記憶體元件的電特性之實驗結果得知，元件可利用施加電壓改變電阻態並利用不同電阻態記憶資訊。元件一開始為高阻態(OFF state)時，其電流傳輸為蕭基特發射和空間電荷侷限電流兩種模式。當元件切換到低阻態(ON state)時，電流則是以歐姆定律的行為傳導，而元件的高低阻態切換特性的機制主要為載子捕捉和電流崩潰。元件操作時，其起始狀態為高阻態(OFF state)，當施加足夠偏壓到達寫入電壓時，則會由高阻態(OFF state)轉為低阻態(ON state)，並且元件經轉態後無法回復，因此元件不具有重複編寫的功能，屬於一次性寫入無限次讀取類型的可編程式唯讀記憶體。進一步，我們使用PMMA:P3BT溶液旋轉塗佈於銅箔基板上，經由蝕刻基板和轉移薄膜的方式堆疊製造可增加單位元數之三維有機記憶體。我們所發展之製作三維有機記憶的方法可以克服有機溶劑的問題。我們對三維有機記憶體元件進行電性量測，發現各個位元皆有良好的電性開關特性，其資料維持可保存〖10〗^4秒。最後，我們利用石墨烯(graphene)與PMMA:P3BT薄膜結合製作PMMA:P3BT/ graphene薄膜，將薄膜轉移到預拉伸的PDMS軟性基板，在釋放應力後薄膜表面會自動產生皺褶，我們對PDMS軟性基板做拉伸並同時進行有機記憶體元件電性量測，發現在拉伸過程中皆能保有編寫能力和資料保存時間可達〖10〗^4秒，在經過500次的拉伸測試後，寫入的數位訊號仍然可以被準確地維持住。