這大概只能顯示自己不差...
但實在沒辦法顯示自己比較好...

真討厭這種手法...
不過做行銷...卻要多運用這種手法...
消費者真的要聰明判斷才行...

這會不會是你稿錯了啊?微星會跟雞排買顯卡?那應該是原廠公版的BBA顯卡,每家廠商的公版卡所有的線路佈局都一樣,所以看起來長的都一模一樣,除非有個別廠商設計出非公版卡,才會有所不同的 :stupefy:

看起來速食店表達的應該是它們的DRMOS是新技術，新方法，新製程，更優異節能,不可否認DrMos 是整合Driver IC + Top MOS + Bottom MOS 在一起在加上PWM來做節能,而石頭&雞排店現在還是使用舊有的STD MOSFET加以改良來做節能
其實要證明 這個新 DrMOS 和 舊 STD MOS 的差異很簡單? "熱" 熱是能源消耗的化學變化的基本表現方式,以上是小弟的淺見
不過用這樣的行銷方式有點.........,建議三家節能主機板送去給公正的測試單位來一場世紀大決戰,比一比才知道是誰在說謊

傳統的VRM每個Phase都要用Driver、HS Mosfet、LS Mosfet去兜，別說Mosfet自己造成的損失(Rds-on)，光是PCB Layout都會造成干擾及損失，所以拿Driver+HS+LS合體的Hybrid Power IC去跟傳統分開兜的比較是沒有太大意義的。
其實D-VRM用的功率元件也是屬於Driver+HS+LS合體，不過因為是Flip Chip封裝，頂部散熱面積太小，大電流下根本無法承受無散熱片操作，溫度馬上就超出SOA(安全作業區)，而QFN至少還可以透過背部錫面來散熱。

其實小弟比較想知道狼大對於這三家節能技術比較上的看法 :shy:
不然OX兩位爭的難分難解 :laugh:

同意 Mosfet & PCB Layout 都會造成干擾及損失,如果以六相用傳統的HS & LS MOS總共要12顆,用DrMOS只要六顆,PCB Layout簡單,誰的損耗比較多,況且DrMOS最大可容許的電流40A,遠比傳統單顆MOSFET來的高


DrMos的特點:

1.低損耗 高效率 節電
2.晶片發熱量小 溫度低
3.晶片面積小 功率密度高
4.瞬態附應快 供電性能高

前面的大大有找出MSI 所使用的DrMos資料,也許你可以研究一下

http://www.renesas.com/fmwk.jsp?cnt..._integrated_sip

http://www.renesas.com/fmwk.jsp?cnt...DrMOS%20Details

Data Sheet在這 假如你想看的話

http://documentation.renesas.com/en...2j20602npds.pdf

你的認知可能有點小小的問題
一般主機板用於 Vcore PWM 的 MOSFET 可承受電流遠高於你所說的 40A ...

不過這類Hybrid Power IC都沒提供內置HS/LS Mosfet的Rds-on數據，從功耗來看，應該是低於目前業界的Logical Level Power Mosfet。