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- - 4G DDR3-1333 終於砍到600以下啦
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長期還是看跌...
畢竟供需出了大問題... 如何把需求再找回來...才是廠商要解決的 供給面好像減產也不是很有效...除非倒掉一些大廠看看有沒有機會吧 |
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三星量產記憶體晶片 不怕台灣日本追趕
http://tw.news.yahoo.com/article/ur...22/1/2z6y1.html
南韓媒體今天報導,三星電子在全球率先量產二十納米級DRAM記憶體晶片。由此,三星與日本、臺灣企業之間的技術差距、拉大至最少六個月,多則一年零六個月。 朝鮮日報在今天的報導中說,全球第三大晶片生產商日本爾必達,五月曾放話「要在技術上趕超三星」,但至今都沒有量產產品。專家推測,日本爾必達的技術,比三星電子落後六至九個月。 專家們預測,三星電子、海力士等南韓企業,將進一步拉大與外國競爭對手的差距。海力士可望在明年第一季度和第二季度,進入二十納米DRAM量產階段。在全球晶片產業,排在第五位左右的臺灣企業,比三星至少落後一年零六個月。 |
含狗人衝衝衝
千萬不要只剩一張嘴 :jolin: 雖然我這波買到最低點 二支4g 共$888 且12G XP 32 bit 已夠用 但還是希望看好戲怎麼上場 :D |
又錯過了.. 砍到500以下時沒屯個10條..
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引用:
如果是這樣,短期內大概就是持平或小漲,因為要分產能給4gb 長期還是漲不上去,不要追現在小漲的記憶體,有需要再買 |
三星擴產 DRAM強彈稍息
http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/6606091.shtml
三星擴產 DRAM強彈稍息 【聯合晚報╱記者徐睦鈞/台北報導】 2011.09.22 02:38 pm 外電報導指出,全球最大記憶體公司三星電子 (Samsung)於美東時間21日晚間10點整發布新聞稿宣布,最新位於南韓京畿道華城市的NAND型快閃記憶體 (NAND Flash)廠房「Line-16」已開始運作。三星同時還宣布量產業界首款採用20奈米製程技術的DDR3 DRAM,這款DRAM可大幅提升系統效能並降低耗電量。 由於目前正值全球DRAM減產,以及NAND Flash價格回穩之際,三星的擴產動作,再度引發供過於求的疑慮,這波止跌強彈的DRAM股今天回檔,其中外資近日買超最多的指標股華亞科(3474)成砍殺標的,重挫摔落季線。 三星指出,Line-16的總投資額預計將達12兆韓圜 (104億美元),已自9月份起開始量產高效能的20奈米製程NAND Flash ,預期月產量可望超過1萬片12吋晶圓。三星將視需求提升NAND Flash產能,同時也會自明 (2012)年起開始生產更為先進、採用10奈米製程技術的記憶體。 三星20奈米製程的2GB DDR3 DRAM效能將較30奈米製程提升50%,耗電量則可減少最多40%。三星計畫在今年底前開發出採20奈米製程技術的4GB DDR3 DRAM,並在明年將產品組合拓展至4GB、8GB、16GB與32GB的DDR3模組。 對於三星增產NAND Flash,國內模組業者表示,三星增產的部份是高容量產品,主要的需求應來自蘋果公司及三星內部的手機需求,對目前國內及大陸市場需求主要為4GB以下的中低容量影響有限,目前中低容量供不應求,惟三星以成本考量為由,新產能並不會增產中低容量產品,反而有助價格持穩。 至於DRAM部份,業者指出,三星的成本本來就比台灣業者低,此次宣布推出業界首款20奈米製程技術的DDR3 DRAM,等於又把競爭距離拉大,國內業者目前最先進製程技術仍以50 、40奈米為主,三星預計明年推出的20奈米製程產品,預料再掀價格戰,台灣業者短期內的競爭壓力仍大。 全文網址: 三星擴產 DRAM強彈稍息 | 今日股市 | 股市投資 | 聯合新聞網 http://udn.com/NEWS/STOCK/STO1/6606...l#ixzz1Yh94oqqw Power By udn.com 才漲沒幾天,馬上就要被打回原形了 |
如果DDR3會因為三星而量產真的很開心~最近問到伺服器用的8G DDR3才三千多:hungry:
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來看看通路的價格跟顆粒實際報價兩邊的價格變動幅度差異多少
也順便度量一下商家良心被吃掉的幅度 :laugh: |
老三、老大都出來放消息了
老二也出來放個話吧 :laugh: 請乖乖探底 :D |
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