[轉] IVY溫度測試，溫度不是普通的高

i5-3570K 4G 測試溫度(原廠風扇)
待機溫度：66度上下
燒機溫度：110度上下

http://www.coolaler.com/showthread.php/288147

電壓刻意調高過

用的是I3的風扇

不知道有沒有amd的cpu做這種測試?

他不乾脆 CPU 插 220V 上去，然後 "碰" 一聲，代表 IVY 溫度高到會爆掉

而且 CPU 中間用散熱膏黏住刀片，代表散熱膏很黏，不是代表 CPU 很輕

TDP就以說明規格了.
所釋放出的熱量與量到溫度並不一樣的.

TDP就以說明規格了.
所釋放出的熱量與量到溫度並不一樣的.
傳導介質影響量測溫度與發出熱量無關.

假設有兩顆LED燈泡

一顆標示15W金屬外殼，另一顆12W塑膠外殼

運作時，
15W燈泡內工作溫度40度，外殼32度
12W燈泡內工作溫度60度，外殼30度

熱能不能順利傳導出來，本身就是一個問題
就算TDP較低又如何?

不好意思您誤會我的意思囉 :)
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我的問題是3-D製程和現在一般的製程差異性為何? 還是只是個噱頭?

如
2600K 電晶體數量11.6億 核心面積216mm²
　　 　 32nm每mm2電晶體數量53.7百萬
　　 　 如果做成22nm每mm²電晶體數量 約可達到91.29百萬(乘1.7)
　　 　 核心面積約為127mm²(除1.7) 當然一般製程 面積降低功耗也會跟著降低
　　 　
同樣用一般製程160mm2 電晶體數量約可到達14.6億
3-D製程的160mm² 電晶體數量有14.8億

所以以上可了解 3D製程 同樣的面積 電晶體數量只增加了約1%
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Pentium G860 核心面積131 mm² 65W
　　　　3770K 核心面積160 mm² 77W
Core i7 2600K 核心面積216 mm² 95W

上面看來功耗也沒有特別突出 還是也只降低1%功耗?
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究竟3-D製程和一般製程有何不同呢?

脫掉鐵殼直接接觸散熱器
不是證明了，跟DIE的大小無關

另外IVY跟Sandy一樣都是CPU與GPU融合架構
(因應AMD把CPU性能的焦點轉移到IGP這塊...)

GPU配置又是Sandy的2倍... CPU省下的空間都拿去給GPU
高溫會不會是GPU造成的? 畢竟Sandy時代開始就無法手動關閉GPU Core

至於是不是3D Gate造成的問題，這要等純CPU Core的Ivy-E上市才能知道真相

就我所知3D Gate帶來的困難度不在半導體的前製程而是後製程... 比較難封裝
所以問題應該不在晶體而是封裝過程使用的銅製程，抑制了超頻性

溫度高不代表不好超，90nm的P4除了溫度問題外拉時脈也蠻輕鬆的

脫鐵殼是證明介質無關吧，怎會是die大小？

拆掉鐵殼溫度差異不大... 證明跟介質無關無關這點無庸置疑

如果是DIE大小，那熱量是不會迅速的釋放，而是堆積在晶體內(可能因此燒壞部分電晶體)

哪有可能燒機時，溫度變化這麼快速