http://zh.uncyclopedia.info/wiki/Ku...%B0%8F%E9%9A%8A

http://www.jonnyguru.com/review_det...=134&page_num=5

這也很精彩啊.. XD

真的很精彩 暴暴樂 :laugh: :laugh: :laugh:

請問對POWER比較有研究的大大們.
海韻的S12II 的最大電流標示真的好怪?
話說前幾天在PxHOME敗了一顆七盟400W.
準備換掉我那顆有點不太夠力的英誌360W.
剛好被我朋友看到.被他拿去看.
竟然笑我笨.說為什麼不買海韻S12II 330W.跑去買一顆七盟400W.
他說:S12II 330W 有2組12V 17A你的才15A.
當然以我現在知道的330W的POWER.不可能12V會有2組17A的輸出.
還跑去官方下PDF檔看看.沒想到還真的17A 2組.
不過好怪的事情重從330~500都是17A.
但是總輸出瓦數卻正確.
330W 12V總輸出為288瓦最大12A
當然最後還是說不過他
他贏了

在ATX 12V 2.2版中，+12V輸出的最大電流降低一些，瞬間輸出電流上達到了16.5A。
主要還是考慮到Intel未來的雙核處理器甚至多核，在啟動瞬間需要較高的峰值電流。

原來標示的是瞬間最大可輸出的電流.我到沒想到這點.
只是真正的一般最大輸出是多少?跟以前標示電流的方式好像都變了.
越來越看不懂 :cry:

我大概把這裡的文章看了一遍,首先我雖然也設計Power,但是不同領域的,原PO文的分
析,我覺得還是有失公允,但也感謝讓大家知道S牌設計的東西是如此的粗糙.

以80+來說,不計成本下,Active PFC是一定要,以大瓦數(300-600W)而言,能選的大概
是CCM PFC吧! DCM的我比較少看過, Bridgeless 更應該沒有,看Vds的圖,應該是
Two-switch forward 的電路比較有可能,其實選擇500V跟600V,價格上並不會有多大
的差異,而事實上以我的習慣,600V是比500V便宜10%左右.

選擇500V有一個原因有可能是因為RDson的關係,想賺點效率的成分居多,而超過Rating
而言,那只是spike,基本上只要熱處理的夠好,事實上,MOSFET的耐壓會隨著溫度升高而
升高.我倒覺得這樣的設計並不會有多大的危險.

在結構分析上,有些論述是有問題的,不再多加說明,至於選擇400V的bulk cap,他們應該
選擇450V比較安全吧,幾uF,我覺得並不是那麼重要.

MOSFET的SOA算是大了，不要惡搞過頭應該都不會出事，而500V較600V的MOSFET都有比較低的Rds-on，對效率提升相當有幫助，加上電路上的snubber設計夠好，spike影響也不會太過嚴重。

私心希望狼大解說一下這些外星文跟它們的功用，看無 :ase
希望可以從浪大身上多學一些 :agree:

SOA(Safe Operating Area)安全操作區
MOSFET的SOA，較BJT(雙接面電晶體)要大，主要是因為MOSFET在順向偏壓時，不會受其二次崩潰效應所限制，所以在脈波及直流的安全操作區較BJT為大，且搭配適當的設計，於額定電壓下就可以承受額定的電流。

Snubber：箝制電路，以電阻及電容構成，其可以改變開關的負載線，並可以在功率元件截止時，消耗額外的能量，讓功率元件負擔較低，增加可靠度。
一般多以電阻及電容串聯後接於BJT的C、E間或是MOSFET的D、S間，而BJT還需加上漏感轉換二極體，將能量回送至高壓直流匯流排，而MOSFET本身的D極PN接面，就會產生等效寄生二極體，所以MOSFET僅需要RC箝制電路。

Rds-on：MOSFET導通時，D、S間的電阻值，因為決定了功率損失大小，所以MOSFET的Rds-on越小越好，不過隨著提升耐壓，Rds-on因為晶片厚度增加而升高，所以高耐壓與低阻抗之間是魚與熊掌難以兼得，不過目前各家半導體廠都致力研發新型高耐壓低阻抗MOSFET，例如英飛凌推出的CoolMOS系列SPW17N80C3，耐壓800V僅有0.29歐姆的Rds-on。