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- - Intel 45nm CPU首度曝光 ,Penryn處理器現身
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引用:
相關地。。 :) :shy: |
引用:
找巴勒斯坦殉道者??? |
這次intel是採用
high-k材料來突破 什麼是high-k物質? 二氧化矽的缺點在於:持續變薄使其控制漏電流變得困難,而high-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數,是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。不同材料會有不同儲存電荷的能力,好比海綿能夠吸收很多水分,木頭吸收得少了些,而玻璃則完全無法吸收。空氣是此一常數的參考點,其k值為1。High-k材料,如HfO2 ZrO2及TiO2,天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。介電常數也直接與電晶體的效能有直接關係。k值越高,電晶體之電容值也越高,使得電晶體能正確的切換於”開”與”關”狀態,同時在關時具有低電流,而在開時具有高電流。 資料來源 http://www.challentech.com.tw/produ...id=43&classid=2 應該intel是又遇到時脈無法順利提升的瓶頸,改用High-k材料來突破吧 |
引用:
:jolin: 以色列的高科技業可是世界知名的 請親洽google查詢就可略知一二 |
引用:
翻譯這篇的吧 http://www.intel.com/technology/sil..._technology.htm High K主要是解電晶體漏電流,矽晶圓上長的二氧化矽在過去10幾(>20?)年來一直是品質最好、最方便成長(直接氧化矽)的介電質材料;High K不是單單換一個材料而已(雖然有很多種候選材料,但是幾乎只有HfO2是有機會用的),換來的一大堆問題是十幾年來許多paper討論的重點,總結就是intel那個網址裡面寫的Fermi level pinning(使電晶體開啟電壓難以調動)和remote phonon scattering(使電晶體效能下降);Metal gate可以解決上面兩個問題,但是搭配High K的metal gate也是很多的討論重點(就是問題很多的意思),的網址裡寫著「The specific metals are a trade secret」實在是很吊人胃口,因為這比High K用什麼材質來得更吸引人注意。 High K不是intel的專利,也不是只有intel在做,但是在我所看到的學界是相當悲觀的(甚至對是不是真的可以量產都存疑),業界好像也是硬著頭皮try,但是intel的處理器已經可以run了;今天上班開始聽到同事哀嚎跟intel的距離拉更大了 :laugh: -- Intel今年一篇VLSI都沒有,想想看是什麼原因。 |
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引用:
自願者為上。 :flash: 便宜又好用。 :cool: |
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是沒錯啦 不過這些殉道者怎麼沒想到晶元廠 這會對於全球經濟有重大影響啊 |
引用:
太有智慧的基本上比較怕S。 通常也不會出現在這類的組織裡。。 :flash: 謎喵之音:會自爆的只要自爆就夠了。。 :shy: |
引用:
晶圓廠周圍因該都有一些管制之類的... 而且可能過去一炸都是炸到機器 ... |
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