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喵兵 2007-01-29 02:54 AM

引用:
電晶體技術大突破 英特爾:晶片邁入金屬時代
http://news.pchome.com.tw/finance/u...0404036092.html
2007-01-28 02:04/編譯湯淑君/綜合二十七日外電

英特爾公司表示,已發明以金屬材質製造電晶體閘的技術,可大幅降低晶片漏電,促成更快、更小、更省電的新一代處理器,堪稱40年來電晶體技術最大的突破。IBM與超微(AMD)也正爭先恐後發表類似技術。
英特爾展示新晶片原型,內含的電晶體閘採用新的金屬合金材質,以取代二氧化矽。用金屬合金製造閘絕緣膜及鄰近的元件,可克服絕緣膜變薄衍生的漏電問題,因而提升處理器的用電效率與執行效能,進而延長電子裝置的電池續航力,例如手機將可長時間撥放影片。
英特爾計劃今年下半年開始製造這種微處理器晶片,將用於電腦,但也可能用在消費電子裝置。另一方面,IBM與超微也準備在2008年第一季推出採用金屬閘的電晶體;這兩家公司訂有合作研發未來晶片製造技術的協議。
英特爾投入大手筆的研發與設計經費,設法搶先推出新技術,讓對手超微難以追趕。英特爾執行長歐德寧(Paul Otellini)說:「這顯示英特爾目前居於領先地位,而且可能繼續主導趨勢。」他說,部分新產品將在年底前開始銷售。
業界分析師說,英特爾的技術領先其他廠商六到九個月,但IBM主管駁斥這種說法,並強調兩者鎖定的市場不同。
個人電腦業的需求日益變遷,諸如Pentium等舊型設計造成晶片散熱需求升高,促使英特爾致力調整晶片的基本結構,以達到降低耗電量和增進裝置可攜帶性的目標。
電晶體是微小的電子開關,藉開與關表示0與1,也就是數位資訊的構成單位。不論是二氧化矽,或現在的金屬閘,都用於電晶體的開或關。
自1960年代末以來,英特爾等晶片製造商就一直使用二氧化矽作為電晶體閘的材質,但二氧化矽即將逼近物理極限。目前的二氧化矽閘薄到只五個原子。在這種厚度下,即使電晶體是關的,也可能造成電流漏電。漏電則意味需要更多電力來開或關電晶體,散出的熱隨之增加。
英特爾說,用新材質製造電晶體,開啟時所需的電力可節省30%。英特爾今年推出的45奈米晶片將採用這種新材質。英特爾用的金屬稱為「鉿」(Hafnium)。

相關地。。 :) :shy:

rugner 2007-01-29 04:42 AM

引用:
作者喵兵
難保擁護它的狂熱者(狂?士)不會這麼作。 :flash: :cool: :p


找巴勒斯坦殉道者???

青葉大哥 2007-01-29 08:58 AM

這次intel是採用
high-k材料來突破

什麼是high-k物質? 二氧化矽的缺點在於:持續變薄使其控制漏電流變得困難,而high-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數,是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。不同材料會有不同儲存電荷的能力,好比海綿能夠吸收很多水分,木頭吸收得少了些,而玻璃則完全無法吸收。空氣是此一常數的參考點,其k值為1。High-k材料,如HfO2 ZrO2及TiO2,天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。介電常數也直接與電晶體的效能有直接關係。k值越高,電晶體之電容值也越高,使得電晶體能正確的切換於”開”與”關”狀態,同時在關時具有低電流,而在開時具有高電流。

資料來源
http://www.challentech.com.tw/produ...id=43&classid=2


應該intel是又遇到時脈無法順利提升的瓶頸,改用High-k材料來突破吧

goodpig 2007-01-29 09:33 AM

引用:
作者rugner

不過沒想到在哪種常常發生爆炸案的地方
會有這種實驗室

:jolin:
以色列的高科技業可是世界知名的
請親洽google查詢就可略知一二

宗毛 2007-01-29 09:36 AM

引用:
作者青葉大哥
這次intel是採用
high-k材料來突破

什麼是high-k物質? 二氧化矽的缺點在於:持續變薄使其控制漏電流變得困難,而high-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數,是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。不同材料會有不同儲存電荷的能力,好比海綿能夠吸收很多水分,木頭吸收得少了些,而玻璃則完全無法吸收。空氣是此一常數的參考點,其k值為1。High-k材料,如HfO2 ZrO2及TiO2,天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。介電常數也直接與電晶體的效能有直接關係。k值越高,電晶體之電容值也越高,使得電晶體能正確的切換於”開”與”關”狀態,同時在關時具有低電流,而在開時具有高電流。

資料來源
http://www.challentech.com.tw/produ...id=43&classid=2


應該intel是又遇到時脈無法順利提升的瓶頸,改用High-k材料來突破吧


翻譯這篇的吧
http://www.intel.com/technology/sil..._technology.htm

High K主要是解電晶體漏電流,矽晶圓上長的二氧化矽在過去10幾(>20?)年來一直是品質最好、最方便成長(直接氧化矽)的介電質材料;High K不是單單換一個材料而已(雖然有很多種候選材料,但是幾乎只有HfO2是有機會用的),換來的一大堆問題是十幾年來許多paper討論的重點,總結就是intel那個網址裡面寫的Fermi level pinning(使電晶體開啟電壓難以調動)和remote phonon scattering(使電晶體效能下降);Metal gate可以解決上面兩個問題,但是搭配High K的metal gate也是很多的討論重點(就是問題很多的意思),的網址裡寫著「The specific metals are a trade secret」實在是很吊人胃口,因為這比High K用什麼材質來得更吸引人注意。

High K不是intel的專利,也不是只有intel在做,但是在我所看到的學界是相當悲觀的(甚至對是不是真的可以量產都存疑),業界好像也是硬著頭皮try,但是intel的處理器已經可以run了;今天上班開始聽到同事哀嚎跟intel的距離拉更大了 :laugh:

--
Intel今年一篇VLSI都沒有,想想看是什麼原因。

sxs112.tw 2007-01-29 05:35 PM























一些圖

喵兵 2007-01-29 06:18 PM

引用:
作者rugner
找巴勒斯坦殉道者???

自願者為上。 :flash:
便宜又好用。 :cool:

rugner 2007-01-30 12:41 AM

引用:
作者喵兵
自願者為上。 :flash:
便宜又好用。 :cool:


是沒錯啦

不過這些殉道者怎麼沒想到晶元廠

這會對於全球經濟有重大影響啊

喵兵 2007-01-30 01:58 AM

引用:
作者rugner
是沒錯啦

不過這些殉道者怎麼沒想到晶元廠

這會對於全球經濟有重大影響啊

太有智慧的基本上比較怕S。
通常也不會出現在這類的組織裡。。 :flash:

謎喵之音:會自爆的只要自爆就夠了。。 :shy:

HSM 2007-01-30 03:49 AM

引用:
作者rugner
是沒錯啦

不過這些殉道者怎麼沒想到晶元廠

這會對於全球經濟有重大影響啊


晶圓廠周圍因該都有一些管制之類的...
而且可能過去一炸都是炸到機器 ...


所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是04:22 PM.

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