輸出電容漣波電流可以用來抑制輸出電感漣波電流，同時也決定輸出電容最大ESR以及最小容許容量，照理說輸出電容越大可以使輸出電流更趨直流，但是考量處理器因負載變動，其用電量變化須符合轉換速率(Slew rate)，會限制輸出電容總容量。因為當輸出電壓由低轉高時，除提供微處理器所需要的電流以外，還要負擔輸出電容的充電電流，這時VRM各相需要供應更大的電流，最大尖峰電流也須列入設計考量以避免不必要的過電流保護觸發導致鎖機/遮斷輸出(Latch/Lock)。

差不多快還給教授了:laugh:

技嘉 8IPE1000G Rev.4.0

補足十個字

小弟的疑問點主要是在於，MOS 與電容之間為一電感，電感上的電流 IL 在斜率與變化量上

斜率：
簡單來看在 High-side 開啟時近似 dIL/dt = (Vin-Vout)/L，
在 Low-side 開啟時近似 dIL/dt = -(Vout/L)。

變化量：
電感上 Ripple 變化量近似式為 ΔIL = [Vout x (1 - Vout/Vin)] / (f x L)。

因此，後端電容大小，與上述之間的關係，為小弟目前不解之處。 :shy:

Apple HN/HM 爆的可兇勒

Tantalum Capacitor ???

傳統鉭質電容，內部過熱時 (例如過電壓，瞬間充/放電...等會破壞絕緣產生短路) 會引起 "ignition failure" (對不起，小弟不知道這個辭中文怎樣翻)，會起火並產生對人有毒之氣體。後來有些改良，但廠商還是會提醒設計時要小心。

鉭質電容目前好像銷聲匿跡了~先不談對人體影響...他本身的耐壓就比一般電容低很多
應用應該不廣...沒多久就很少聽到了...

ignition failure 觸發失敗.........

過熱時耐壓值會下降約20~30%(假設元件溫度85℃上升到105℃).......使操作電壓超過額定耐壓值.........就會有此情形發生的可能.......

早期主機板(486時期)尚未大量應用鋁質電解電容時，都是以鉭質+積層電容為主。

鉭質電容是草莓族:D