PCDVD數位科技討論區 - 力晶的記憶體好嗎?

PCDVD數位科技討論區 (https://www.pcdvd.com.tw/index.php)

- 系統組件 (https://www.pcdvd.com.tw/forumdisplay.php?f=19)

- - 力晶的記憶體好嗎? (https://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=458067)

有用過不能跑最佳化
跑2.5-3-3-6
還滿穩的
去查一下主機板官網有沒有測試過
還有別混插..很容易衝到的

引用:

作者seisyuku

D43的特性相當有趣
我以前買Infineon都是SPD標3-4-4-8，實際上根據我看原廠資料，建議值是2.5(3)-3-3-6(8)最穩。
可是新買的Kingston D43可不是這樣，SPD是3-3-3-8，調成2.5-3-3-6或3-4-4-8不是
當機，就是沒有原來快。我看國外討論的大部分見解是，因為D43是屬於那種加壓沒什麼用，時序不適合變更，時脈可以超到極高的典型。

INTEL系統效能只對時脈很敏感，所以時序不用刻意去改，除非你跟我之前一樣，發現CL2.5比3更穩定，否則只要隨便上個DDR466以上就夠你爽了。相反的，K8因為記憶體控制器設計的關係，對時序的要求就很嚴苛，這個除了自己一個個試搭配之外別無他法。

如果要很好的時序，則非得買BH5、TCCD才能如願。否則，像我這種玩票，按SPD設定時序，但是時脈盡量高是兼顧方便跟超頻的作法。

SDRAM的VDD盡可能不要改超過原廠值+-10%比較好，很多網站都測過，像D43、TCCC這類DDR400+等級顆...

我這邊的K8很怪，主機板是Asus A8N SLI
用Hynix -D43，fsb220/ram440 OK
但是改成fsb230/ram230就不行了
我已經先把ram的速度設定到最慢DDR200
結果D43在這張版子，會讓fsb跑不到220以上
例如說fsb是230，bios的記憶體速度調成DDR200
（事實上因為fsb的增加，記憶體變成也試跑DDR230)
結果就掛了，問題是這支ram不可能連ddr230都跑不到啊
我把fsb降成210，ram調成ddr420，就都明明可以跑
D43拔掉，換成TCCD或D5，都可以正常上300fsb
換成psc，上不了300，但是剛剛跑275也都一切正常
所以我拿-D43真的是一點辦法都沒有

引用:

作者stratos2005

我這邊的K8很怪，主機板是Asus A8N SLI
例如說fsb是230，bios的記憶體速度調成DDR200
（事實上因為fsb的增加，記憶體變成也試跑DDR230)
結果就掛了，問題是這支ram不可能連ddr230都跑不到啊
我把fsb降成210，ram調成ddr420，就都明明可以跑
D43拔掉，換成TCCD或D5，都可以正常上300fsb
換成psc，上不了300，但是剛剛跑275也都一切正常
所以我拿-D43真的是一點辦法都沒有

聽起來很奇怪，該不會是K8或NVIDIA的記憶體控制設計問題？或是時序上有問題

例如CL=2.5 的話，放 Column Address 後 2.5T，記憶體控制器就可以看到信號進來，這時就算delay 0.1T也還可以接受。但是混插很多根後，可能阻抗變大，delay 變成 0.5T以上，就算記憶體控制器等了 3T ，等不到信號還是開天窗...

要不然測看看TCCC的模組看看，TCCC據說沒有D43那麼耐超高時脈，但說CL2.5可以DDR450+的很多...

我幫朋友裝機的時侯.. 有買到創見的力晶顆粒..
但覺得很穩吧.. 完全不超頻.. 跑了二個多月也沒事情...

力晶................相容性超"讚"的耶，保當機，同樣記憶體插起來，不知道為啥他就是比較火熱，不愧是賠11年賺1年的廠商，2004年轉虧為盈而且1年賺飽11年虧的......真是......

引用:

作者mgsuper

聽說力晶較好的顆粒好像都供應給「爾必達」了，不知是不是真的。

這是台灣代工廠的特性,好的都給別人了...
尤其光碟片廠更是明顯...

引用:

作者ianme

哇!建一間RAM廠,比賭博還刺激?

引用:

作者gg327

這是台灣代工廠的特性,好的都給別人了...
尤其光碟片廠更是明顯...

不過創見「爾必達」顆粒的記憶體也一樣是標CL=3 :jolin:
只是不知有沒有比較好就是了~

力晶沒那麼差吧!重要的是看顆粒等級及pc板模組體質
很多採用力晶顆粒的記憶體為求獎低成本都採用較低價位的
pc板模組導致有超不上去的情形
我我使用的芝奇nddr400 大致可超上480

引用:

作者stratos2005

Infineon的0.14/0.11 cell是用長上去的啊
IBM跟華邦是用挖下去，結果到0.14很難挖，角度很難僑
所以南亞就跑走去找Infenion，順便一起蓋蓋新廠囉

也許每家廠每一代都有新技術，不是一定故定用深溝或堆疊電容
他轉進下一代製成，發現深溝做不下去，改成堆疊也有可能
Infineon以前是深溝電容陣營沒錯，不過到0.11後轉給南亞的技術
就是堆疊電容...這是我南亞的同學說的啦

這...TRENCH 現在技術第一的是Infineon
南科在0.11會找Infineon 就是他才是TRENCH的第一把交倚
IBM在0.14就做不出來發表論文說DRAM 太難做就收掉改作代工
華邦中芯都是靠Infineon技轉的
TRENCH 目前會一直做下去
當然Sansung Hynix(ProMOS) 爾必達(PSC) 也會一直作STACK