MB P4P800SE
CPU P4 2.4C
RAM A-DATA DDR RAM


記憶體部分設定2.55V

以下測試PAT方面設定TURBO 另一記憶體加速選項設定Enable

2.4C @3.61G 301FSB RAM=DDR480 CL 2.5-3-3-5 (2.55V)



2.4C @3.61G 301FSB RAM=DDR400 CL 2-2-2-5 (2.55V)



2.4C @3.3G 275FSB RAM=DDR550 CL 3-4-4-8 (2.55V)



以上記憶體不加電壓設定2.55V

把記憶體電壓設定2.75V

CPU 2.4C @ 3.76G 313FSB
P4P800SE
DDR418 CL 2-2-2-5








CPU 2.4C @ 3.76G 313FSB
P4P800SE
DDR501 CL 2.5-3-3-7





最後吃飽太閒
把BH-5 2隻 在加進來 跟 A-DATA 550 混插 電壓2.75V

2.4CG @3.6G FSB 300

DDR400 CL 2-2-2-5 *4

前頁的Dual Prime95真是帥呆了!...但電壓的需求比D5高了些!
http://myweb.hinet.net/home4/jamesfuh/snap9008.jpg
...不過您測的時間較長...較具公信力!

P4P800上...PAT被Disable竟然參數變好,還有效降低Vddr電壓...這有趣!

其實我也覺得D5真的很不錯 衝高外頻的不二選擇

而三星的優勢是比D5的適用範圍廣可衝高外頻也可最佳化

再搭配A-DATA 的PCB除頻也都很正常 我覺得這個是優勢


謝謝收看

ASUS+Albatron +A-DATA + ABIT(johnnyliu3377兄)

4A鐵隻測完了

所有優點都到位了
1. 300外頻3:2跑DDR400 CL2-2-2-5
2. 300外頻5:4跑DDR480 CL2.5-3-3-5
3. 高外頻同步1:1 DDR550 CL3-4-4-8
4. 低電壓都可運作2.55v
5. 相容性與BH-5混插256MB*4 參數依然可以CL2-2-2-5
........還漏掉什麼嗎？
唯一無法達成就剩下~~300外頻1:1跑DDR600
幾乎可稱之為夢幻記憶體模組:D