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eccctw 2012-04-26 04:16 PM
我猜

LGA2011 的 IVY-E 出來以後

LGA1155 的 IVY 就"恢復"正常了 變好超了

老二怎麼可以打敗老大

Technology 2012-04-26 04:40 PM
引用:
作者eccctw
我猜

LGA2011 的 IVY-E 出來以後

LGA1155 的 IVY 就"恢復"正常了 變好超了

老二怎麼可以打敗老大


可是...到那個時候
Haswell也快要推出了說...
所以Haswell也會這樣子，不准打敗Ivy-E嗎？:laugh::laugh::laugh:

aegis43210 2012-04-26 05:38 PM
等壓路機吧，AMD最近動作頻頻，看來想在明年有所作為。
今年INTEL就是吃定消費者了。
等著看有沒有勇者會開蓋來超頻，散熱膏的問題，用再好的風冷也沒用。

chanhsiaohsin 2012-04-26 11:19 PM
引用:
作者FoxChen
Oh my GOD... 32nm -> 22nm 已經可以省很多, 連散熱膏也要省. I公司真是吃人夠夠...


INTEL沒省散熱膏呀!

他不過是把無鉛釺焊工藝改成上散熱膏，
就算用再好的散熱膏，導熱系數差太多，一樣散熱不夠好。

不過無鉛釺焊工藝需高溫，也許是22nm晶片不耐高溫，
導致只能用散熱膏。

airitter 2012-04-27 05:14 AM
引用:
作者FoxChen
Ivy Bridge 的電晶體數量比 Sandy Bridge 多約 27.5% (14.8億 vs. 11.6億)
Die Size 又由 Sandy Bridge 的 216mm2 縮小到 Ivy Bridge 的 160mm2,
雖然比 Sandy Bridge 省電 (77W vs. 95W) 但電晶體密度變高,
散熱面積變小, 一來一往有可能就造成溫度相對較高的結果.

話說溫度高, 並不一定代表整體發熱的量會較多... 畢竟溫度只是測某個區域或點而已...

216mm2 > 160mm2
95W　　>　77W

晶面面積增加35% 電晶體只增加27.6%
這就是所謂 3D製成??　還是我記錯了??

一般製成不是差不多可以
95W　　>　65W　　 :confused:

好像跟沒有一樣 　而且還更糟　:stupefy:
效能沒進步　功耗還變高了

FoxChen 2012-04-27 10:30 AM
引用:
作者chanhsiaohsin
INTEL沒省散熱膏呀!

他不過是把無鉛釺焊工藝改成上散熱膏，
就算用再好的散熱膏，導熱系數差太多，一樣散熱不夠好。

不過無鉛釺焊工藝需高溫，也許是22nm晶片不耐高溫，
導致只能用散熱膏。



Sorry, 謝謝大大指正, 應該是說"改散熱的方式省成本"... :ase

FoxChen 2012-04-27 10:35 AM
引用:
作者airitter
216mm2 > 160mm2
95W　　>　77W
晶面面積增加35% 電晶體只增加27.6%

Ivy Bridge 用 22nm 生產, 雖然電晶體增加 27.5%, 但面積卻可縮小為 Sandy Bridge 的 74%

悲天憫人 2012-04-27 10:38 AM
所以我對2011跟1155的時間差很感冒
明明砸大錢買2011，卻馬上有新架構的1155出來
縱然自已需求自已知道，還是會很不爽啊，畢竟花大錢買2011

所以x79到現在還沒出手的原因在此 :jolin:

airitter 2012-04-28 07:36 AM
引用:
作者FoxChen
Ivy Bridge 用 22nm 生產, 雖然電晶體增加 27.5%, 但面積卻可縮小為 Sandy Bridge 的 74%


感謝您指正 :)

Ivy Bridge 22nm 晶面面積縮小35% 電晶體增加 27.5% 可是效能不變

但是用一般製成32>22 效能不變時
晶面面積大約可以縮小50% 電晶體增加不用增加 功耗也同樣可以降低吧?

FoxChen 2012-04-28 12:45 PM
引用:
作者airitter
感謝您指正 :)

Ivy Bridge 22nm 晶面面積縮小35% 電晶體增加 27.5% 可是效能不變

但是用一般製成32>22 效能不變時
晶面面積大約可以縮小50% 電晶體增加不用增加 功耗也同樣可以降低吧?


有降呀!? 2600K/2700K TDP 95W, 3770K 77W.


所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是04:23 PM.
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