從以上大大的經驗分享 三星顆粒3 3 3的記憶體和力晶顆粒2.5 3 3兩者比較起來 記憶體顆粒才是決定品質的好壞！所以我應該留下三星顆粒3 3 3而把力晶顆粒2.5 3 3裝機出售嚕！

當然囉...現在512MB 跌成這樣..就好比高檔的256MB一樣的價錢..
能單單買一條512就買一條...何必多佔一個位置買2條256呢...

英飛凌的用挖channel技術，已經到極限了，故障率不低
主流是用堆疊技術。
所以英飛凌...目前不好

茂德的顆粒應該還ｏｋ吧　 :shy:

聽說力晶較好的顆粒好像都供應給「爾必達」了，不知是不是真的。

沒錯....力晶相容性真的是 :tu: ....我舊電腦逢裝必當(還好是買創見的)

後來去創見專門店 店員二話不說就換三星TCCC給我 :laugh:

有夠阿沙力...高雄的創見專門店...讚拉 :D :like: :like:

力晶..應該還好吧，我的感覺跟我還蠻合的，我這平台都還蠻愛他的
反而是Hynix -D43跟我不太和，老是有問題，真的是很奇怪
我有八支金士頓Hynix -D43，兩支金士頓PSC，還有四支宇詹的PSC
一張華碩P4P800，四支ram差滿Hynix就不穩，但改成PSC就OK
還有一張華碩A8N SLI，PSC超頻幅度普遍還比-D43好些
我手邊八支-D43真的都不好超，大概都是DDR420-440之間會死掉
而且K8平台，很容易被顆粒影響到外頻的超頻幅度
我這邊只要用Hynix D43顆粒，外頻就上不去，真的是相當奇怪

Infineon的0.14/0.11 cell是用長上去的啊
IBM跟華邦是用挖下去，結果到0.14很難挖，角度很難僑
所以南亞就跑走去找Infenion，順便一起蓋蓋新廠囉

也許每家廠每一代都有新技術，不是一定故定用深溝或堆疊電容
他轉進下一代製成，發現深溝做不下去，改成堆疊也有可能
Infineon以前是深溝電容陣營沒錯，不過到0.11後轉給南亞的技術
就是堆疊電容...這是我南亞的同學說的啦

D43的特性相當有趣
我以前買Infineon都是SPD標3-4-4-8，實際上根據我看原廠資料，建議值是2.5(3)-3-3-6(8)最穩。
可是新買的Kingston D43可不是這樣，SPD是3-3-3-8，調成2.5-3-3-6或3-4-4-8不是
當機，就是沒有原來快。我看國外討論的大部分見解是，因為D43是屬於那種加壓沒什麼用，時序不適合變更，時脈可以超到極高的典型。

INTEL系統效能只對時脈很敏感，所以時序不用刻意去改，除非你跟我之前一樣，發現CL2.5比3更穩定，否則只要隨便上個DDR466以上就夠你爽了。相反的，K8因為記憶體控制器設計的關係，對時序的要求就很嚴苛，這個除了自己一個個試搭配之外別無他法。

如果要很好的時序，則非得買BH5、TCCD才能如願。否則，像我這種玩票，按SPD設定時序，但是時脈盡量高是兼顧方便跟超頻的作法。

SDRAM的VDD盡可能不要改超過原廠值+-10%比較好，很多網站都測過，像D43、TCCC這類DDR400+等級顆粒，加壓頂多讓你多上10％時脈，但用沒多久你就看到顆粒變色了... :fear:

至於力晶，除了換貨容易外（天曉得代理商那裡為何總是一盒盒力晶，要D43難，要Infineon更難...），其實不要期待太多會比較快樂。

我的k8 3000+配k8n neo-fsr+威剛ddr-400512*1
換板子(一樣是k8n neo-fsr)當
把記憶體換成kingston hynix顆粒才能使用
不然原本的psc一直當(在裝winxp時就如此)
那時我才知道psc=力晶