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- - 記憶體週期Burst Length設定你們都調4或8呢?
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引用:
我有試過可以上250,可以進windows,不過沒跑memtest! |
引用:
如果我要超頻,那我的2.4cg=200*12超到3.6g=300*12,那麼記憶體要從200超到300才能跟cpu同步是不是? 我的板子是p4p800,bios裡好像沒有調rom外頻的設定,是不是只能從軟體改呢? |
受教了:p
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:)
我再講解一下Refresh Mode的意義 該選項有AUTO,15.6u sec,7.8u sec,64u sec,64T 以256MB為例子 目前DDR SDRAM 256MB通常是32M*8bit的顆粒組合 而這類型顆粒的更新率大部分都設計成8K/64ms, 也就是更新週期為7.8u sec(算精一點是7.8125u ) 所以設定成7.8u是效能最佳的 但是,如果經常作連續性的大量資料傳輸,某些體質稍差的顆粒 可能就無法立即反應而造成資料封包的遺失,進而影響系統不穩定運作甚至當機的情形 這也是為什麼BIOS中會另作其他速度選項的其他因素之一 假如你自認為自己的RAM體質異常的好,當然是設定7.8u sec 不過我認為 在追求速度的前提之下要兼顧穩定還是設定成15.6u比較好 有錯請指正,謝謝指教:) |
真的太強了
很久沒看到這麼有用的文章了 感謝!:D |
引用:
感謝指教! 可惜我的是茂矽顆粒如果要超的話大概只能選auto了..因為穩>快 目前在bios裡找不到可超rom的選項 |
感覺好複雜
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回覆: 回覆: 回覆: 記憶體週期Burst Length設定你們都調4或8呢?
引用:
引用:
推一下 |
引用:
如果沒記錯 Refresh cycle 應該是指DRAM中每個cell 需要充電的時間 DRAM 不比 SRAM 是需要每隔固定一段時間充電來維持資料 |
refresh cycle不是指每個DRAM cell每隔多久需要充電的時間嗎?
還是我搞錯了?:confused: :jolin: :fear: 另外,感謝 realikari 的說明. |
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