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- 效能極限
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- - 創見DDR400 512MB用哪一種顆粒最穩定呢?
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引用:
流口水中...... > 還1G......^^ |
三星的顆粒有打TCCC
是有啥特殊功能嗎? 是-5的顆粒嗎? 謝謝!! 效能如何呢?好像CL=3(一般好像是CL=2.5) 蠻與眾不同的 想要問看看^^ |
引用:
類似Hynix 都是偏向高外頻 但是都是只能cl3 目前國外有人出DDR566 就是用Hynix d43顆粒 |
引用:
韓系晶片都是DDR400 CL3.0,DDR400 CL2.5的只有華邦,偏偏華邦又不打算玩DDR RAM了,打算將產能移做他用:think: TCCC是CL3.0-3-3,TCC4是CL3.0-4-4:jolin: ,不錯吧,韓國人頂會騙錢的,連DDR400 CL3.0-4-4的規格都能出 http://www.samsung.com/Products/Sem.../K4H560838E.htm |
引用:
現在不一定只有華邦才是DDR400 CL2.5吧? 茂矽的-5B也是CL2.5(之前-5是 CL3) 力晶顆粒的忘記了.... |
引用:
目前是BH5顆粒最好最佳化... 而CH5根本就是低階產品...與BH5相差太多了... 我自己原本有兩條BH5 256MB (313.314WE) 不加壓輕鬆最佳化,但是加上了CH5 512MB後(317WI) 就只能6-3-3-2(不加壓),加壓到2.7V連5-3-3-2都不穩:jolin:...是可以進入WINDOWS啦~! 所以要最佳化只能挑BH5...現代D43顆粒據板上的大大測試結果好像只能上高外頻 但是要最佳化似乎不容易... 好在之前買到了兩條BH5顆粒的記憶體(不過是早期的3072E週期,不知道好不好超頻) 現在要脫手CH5 512MB記憶體還真不容易... 畢竟有對手D43顆粒出來了...只能低價賣出啦.........:cry: |
能否請問您採用 ch-5 的模組上標示的是 2.5, 3, 3 還是 3,3,3 ?
模組是創見的嗎? 感謝回答, 謝謝! 引用:
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CH-5是標2.5-3-3,我的可以BIOS設2.6V跑DDR400 CL2.0-3-3-5開雙通道 |
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感謝天大的回答, 謝謝啦! 柑溫! |
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引用:
看來還是大大的運氣好... 小弟買的連加壓都上不了5-3-3-2(算是不穩啦~!) 但是只能不加壓上6-3-3-2,難道這樣還不算好嗎?(有沒有加壓好像都一樣...:jolin: ) 麻煩大大請示一下...不然我還真的不知道要怎麼賣哩~!.............:cry: 因為小弟不清楚能夠上這樣的CH5顆粒平不平常??? 這樣我心中才有個底啦..........拜託大大幫個忙囉~!.......感激不盡.........:cry: |
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