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呃，jcc你老人家不會不知道sram也是算在電晶體裡面的吧?
cache用的不就是sram?

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我不知道我這樣算會不會太離譜，畢竟我的電子學是當通識在修的:jolin:
一個sram的記憶單元好像要用到6個transister(其他的等化預充電電路暫且不計)
barton多出256kbyte的cache
也就是256*2^10*8 (bit) *6(個transister)==1260萬左右
你給的資料是差1800萬，加上其他之前忽略的，看起來是蠻相近的
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有錯請指正:)

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毛毛蟲哥葛...小弟jccjcc偶素電子大外行....
原來 sram就素微小滴電晶體充放電0.1訊號來滴喔...
懂了...懂了...肛溫ㄚ...哈哈...
:D :D :D :D

在這理想請問一下...SRAM的中譯名詞是否為"靜態隨機存取記憶體"?而DRAM為
"動態隨機存取記憶體"呢?(之前在修計算機概論的時候有讀到...只是不太記得了...)

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……您老不用跟我客氣了(把我叫老了:nonono: )
如果有興趣的話smith的微電子電路裡面都有講原理
(smith電子學是全國大部分電機科系在用的課本，很好找)
你只要先大致了解一下pmos/cmos的原理，再去看第13章(mos數位電路)的第10節
其實這邊算是電子學裡面比較簡單而有趣的部分:)
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雖然說我的電子真的很爛:jolin:

對，s=static
static的意思是說他用的是static latch(閂鎖)的方法當作儲存單元
dynamic則不是，他是將資料存在電容裡，電容會對地放電而資料會流失
所以需要refresh(定時的再充電，拉到正確的位準)
dram會比sram便宜那麼多就是因為原理不太一樣(dram一個單元也只有用到一個transister)
計概或是計算機結構好像不會講到那麼細，電子學裡面才有討論
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感謝兩位的發問，讓我又把好久沒唸的課本拿出來翻了一下:)