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-   -   為什麼最近10年內的電容容易爆? (https://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=970175)

FD3STYPER 2012-05-25 08:26 PM

引用:
作者yoyo0716
會不會跟CPU 以及VGA動輒幾百瓦的耗電量有關係啊??


soket 478, Intel已經將固態電容建在公板上.

從2002~2012這十年, 都是走低電壓高電流, V Core部分動輒200A電流.

當然, 會炸也很電解電容紋波電流耐受度較低有關.

煙鬼 2012-05-25 09:14 PM

引用:
作者FD3STYPER
1. 電解電容的話, 會有水合反應, 正極產生氫氧化鋁, 負極產生氫氣,
氫氣就是爆漿主因.

2. 好的電解液配方就能夠抑制水合反應, 比方說日系電容. 很多日系高壓電解電容,
像是Chemi-Con KMH系列400V耐壓電解電容, 我手邊就有10多年還活跳跳的東西.

3. Low ESR=電解液高含水, 含水量越高, 水合反應越強烈, 水合反應不用通電也能反應,
通電後溫度升高, 還會更加速水合反應.

4. 有時候未必是水合反應, 鋁電容( 不管固態導電高分子或是電解液 )主要成分是鋁箔,
然後經過腐蝕, 化成, 產生絕緣介電層, 在腐蝕鋁箔這個過程會用到溶劑,
萬一溶劑沒有導乾淨, 就會產生問題, 可能會產生氣體, 或是會破壞介電層造成短路.

大概是這樣.


可以按個讚嗎!

u8u8u8u8 2012-05-25 09:22 PM

引用:
作者煙鬼
可以按個讚嗎!



.....呵

pcdvd.02@hotmai 2012-05-25 10:12 PM

引用:
作者FD3STYPER
soket 478, Intel已經將固態電容建在公板上.

從2002~2012這十年, 都是走低電壓高電流, V Core部分動輒200A電流.

當然, 會炸也很電解電容紋波電流耐受度較低有關.

我還記得很清楚當時intel 875P的d875pbz在CPU VRM的部分首先開始使用固態電容,當時吸引了一些人的目光(包含我),當時在一般消費性主機板用固態電容的風氣剛起來(同時石頭也被罵翻了,因為當時大量使用OST),結果事實證明固態電容也是會爆的,因為後來D875PBZ和另一款d865perl有數起爆VRM電容的案例,反觀當時同級的P4C800/P4C800-D dlx都好好的.

感覺佈線比用料重要.

無責任 2012-05-25 10:24 PM

固態電容我也遇過爆過
去材料買三洋來換也爆過
只好當作買到山寨品

前幾天拆XBOX1代,裡面特殊電容也爆
,機板都被酸蝕.... :tu:

FD3STYPER 2012-05-25 11:14 PM

固態電容只能確保比較安定沒有水合反應, 不代表他不會炸.

光是導電高分子塗佈後導出溶劑, 就是技術.

一個不小心溶劑殘留就會炸不完.

還有介電層破壞後短路問題, 這跟電解電容是一樣的.

sd964p 2012-05-26 08:28 AM

引用:
作者無責任
固態電容我也遇過爆過
去材料買三洋來換也爆過
只好當作買到山寨品

前幾天拆XBOX1代,裡面特殊電容也爆
,機板都被酸蝕.... :tu:


日系電容也會爆,個人就有經驗

這篇狼大有提示避免買到 http://www.pcdvd.com.tw/showthread....30&page=2&pp=10

ckcpro 2012-05-26 10:06 AM

引用:
作者FD3STYPER
1. 電解電容的話, 會有水合反應, 正極產生氫氧化鋁, 負極產生氫氣,
氫氣就是爆漿主因.

2. 好的電解液配方就能夠抑制水合反應, 比方說日系電容. 很多日系高壓電解電容,
像是Chemi-Con KMH系列400V耐壓電解電容, 我手邊就有10多年還活跳跳的東西.

3. Low ESR=電解液高含水, 含水量越高, 水合反應越強烈, 水合反應不用通電也能反應,
通電後溫度升高, 還會更加速水合反應.

4. 有時候未必是水合反應, 鋁電容( 不管固態導電高分子或是電解液 )主要成分是鋁箔,
然後經過腐蝕, 化成, 產生絕緣介電層, 在腐蝕鋁箔這個過程會用到溶劑,
萬一溶劑沒有導乾淨, 就會產生問題, 可能會產生氣體, 或是會破壞介電層造成短路.

大概是這樣.


我只是潛水看文章,看到這種文還要算讃,應該都沒人才嗎?狼大出來說說!、

VF-19 2012-05-26 08:04 PM

頂一下!好文.

BLUESKYVFX- 2012-05-26 08:05 PM

嗯. 手邊一堆sanyo 的電容還沒丟. :D 偶爾拿來修機器也挺好用的.


所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是04:44 AM.

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