這就是知識來源
http://www.eettaiwan.com/

泛IBM聯盟啥時說不用EUV?
浸潤式微影已經快走到極限(雙重曝光只能改善一點繞射現象)
想要往下微縮
EUV是目前唯一有大量生產能力的次世代微影技術

那是你對EUV神化了
東西能量產 價格合理才有用

http://www.eettaiwan.com/ART_880057...NT_0b2f253d.HTM

設備產業有太多理由需要合作，其中一個就是微影技術的發展。目前193奈米浸潤式微影，被視為可支援32/28奈米製程節點；但到了22奈米節點，微影技術選項除了193奈米浸潤式技術，還有雙圖案(double-patterning)、無光罩(maskless)與奈米壓印(nanoimprint)。

雙重曝光(double-patterning)微影增強技術 不是微影技術
無光罩是指用e-beam 是可以用 但是太慢
奈米壓印 大面積下良率根本是看天吃飯
EUV除了機器和光罩貴以外 在生產上和現行系統並無太大差異

雙重曝光(double-patterning)微影增強技術是微影技術的延生
他也是微影技術 他能達到22nm

EUV不是不好 是跟本不願資金去燒這種高成本回收期長,且不穩定之高風險投資
能用到便宜量產的東西 誰會再去用貴的

http://www.eettaiwan.com/ART_880055...NT_205ca230.HTM
IBM那篇採用193奈米浸潤式微影技術開發SOI的文章我也忘了在哪
有興趣自己去找http://www.eettaiwan.com/

還有intel tsmc 三星是共同向18"進發 不是32nm
http://www.eettaiwan.com/ART_880058...NT_4e23b551.HTM

產業的東西 去找專輯型的網站才能得到 比起普通或者是從事該行業而不吸取新知者

雙重曝光(double-patterning)是從pattern設計上下功夫
透過電腦補償繞射問題
可以增加曝光品質
但對於最小尺寸是沒有幫助
物理上多小就是多小了

ps.建議真的有興趣去找本教科書來看吧

以上你是對的 謝謝你 受教了

雙重曝光(double-patterning)微影增強技術是微影技術的延生
他也是微影技術內容之一 他能達到28nm
以上改這樣才對

這是9月大家搶設備(大廠積極採購　浸潤式微影工具交貨等待期延長
http://www.eettaiwan.com/ART_880058...NT_c5bf5681.HTM

這是第一台12吋無光罩多重電子束微影設備給台積電研究製程
http://tech.chinatimes.com/2007Cti/...0300343,00.html

勝負還不知道 雖說Nikon將開發一款「量產型」設備EUV3並計劃在2012年發表
還有至少2年 這兩年誰先賺 還不知道