加電壓!~ :stupefy:

1: Wunbond BH-5
2: Samsung TCCD
3: nForce2用DDR400 CL2.0-2-2-11比DDR400 CL2.0-2-2-5傳輸速率快
3: K8 939跑DDR400 CL2.0-2-2-8(9)比DDR400 CL2.0-2-2-5傳輸速率快
----------------------------------------------------------------
關於上述第一點,我手上的BH-5 512MB,沒有可以2.6V跑DDR400 CL2.0-2-2-5
第二點,我手上的TCCD也不一定能2.6V DDR400 CL2.0-2-2-5,不能DDR400 CL2.0-2-2-5的TCCD,加電壓無效(這是指加到2.8V,那種謀殺記憶體顆粒的3.2/3.3V不在此限)
第三點是國外AnandTech測試的結果
第四點是我自己和其他網友測試的結果,是用Memtest86+和Rightmark Memory Analyzer測試

我是用創見DDR400 256 MB*2 BH-5 (5-2-2-2)
如果不加壓在玩將軍資料片-絕命時刻,開4打4 ，單位多遊戲會跳出
bios加到2.9V(everest顯示2.85v)時就幾乎沒有這個問題(只發生一次)
不知道是不是我的BH-5體質比較差..

配備:
主機板:8rda3+ (nforce2 ultra)
cpu: AMD1800+ (200*[email protected])
顯示卡:耕宇Geforce4 ti4200(64mb)
power:台達350W

[QUOTE=天昏地暗]]
3.nForce2用DDR400 CL2.0-2-2-11比DDR400 CL2.0-2-2-5傳輸速率快

有這種事
趕快來去試試看，感謝告知

勤茂TWINMOS , TEAM , GSKILL 現在都有新的 BH-5上市囉,詳情友站那邊有很多討論

我想知道的是,是真的用Winbond BH-5去做的RAM,還是說因為能夠DDR400 CL2.0-2-2-5跑,大家就說是BH-5.兩者間還是不一樣吧!!

厉害~~~~~~~ :yeah:

不过手太赛了,TCCD买到不能2-2-2-5的,我的可以在2.5V DDR440 2-2-2-5 :D

請問有測過prime95嗎?
還是主機板有偷加電壓?

題外話:520bj你的簽名檔好搧情喔 :shy:
害我每次看你的文章都沒辦法專心 :ase

P95过24小时 :D

MB是MSI K8N NEO Platinum

之前在ASUS K8N-E 那破烂MB上连2-2-2-5都不稳定 :stupefy:

PS:这个............... :shy:

http://www.twinmos.com/dram/dram_p_...nnel_ddr433.htm

勤茂的DDR433官網有說用的die是WINBOND BH-5,其他的不能確定,因為我只是看來的,沒有小朋友可以請回家 :cry: