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ftpftp 2004-09-07 10:40 AM

引用:
作者電機人
I think you are right...

昨天把記憶體加壓至2.7V後花了很長很長很長的時間測試 , 果然穩跑R.S.T.連續12次 , 加上之後的Memtest86 ALL TEST 通過2次後終於確定穩定

奇怪的是SAMSUNG TCC5 "E-Die" 沒想像中的強 , 用預設的2.6V以2.5-3-3-7運作竟然發生R.S.T.在Jump當機而且測Memtest86發生ECC ERROR , 看來韓系顆粒要最佳化還真的有點遜


我的bh5也是用2-2-5-2來跑的話,也是過不了R.S.T的EXTENED....(第二項),但是如果讓主機板自已設AUTO然後是2.5-4-8-3來跑的話,R.S.T的三項都可以過,真得很奇怪,而且我讓主機板AUTO抓參數來跑SiSoftware Sandra SP2來記憶體頻寬約30XX,比跑2-2-5-2下跑只有2861,真得是很奇怪,所以我就用AUTO來跑,改天再來跑prime 95 blend

天昏地暗 2004-09-07 11:39 AM

引用:
作者ftpftp
我的bh5也是用2-2-5-2來跑的話,也是過不了R.S.T的EXTENED....(第二項),但是如果讓主機板自已設AUTO然後是2.5-4-8-3來跑的話,R.S.T的三項都可以過,真得很奇怪,而且我讓主機板AUTO抓參數來跑SiSoftware Sandra SP2來記憶體頻寬約30XX,比跑2-2-5-2下跑只有2861,真得是很奇怪,所以我就用AUTO來跑,改天再來跑prime 95 blend

我自己的經驗,BH-5在K8上不加壓2.6V 跑DDR400 CL2.0-3-3-6能過R.S.T和Prime95,您參考一下 :agree:
PS:R.S.T測第二項extended memory test即可

ftpftp 2004-09-07 08:15 PM

引用:
作者天昏地暗
我自己的經驗,BH-5在K8上不加壓2.6V 跑DDR400 CL2.0-3-3-6能過R.S.T和Prime95,您參考一下 :agree:
PS:R.S.T測第二項extended memory test即可

cl2.0-3-3-6是分別為tcl-trcd-tras-trp嗎??這樣的順序對嗎??如果對的話,bh5的ram電壓再設2.6v及可,因為我不知道bh5的最佳電壓是多少,用2.6v應該不會傷ram吧

天昏地暗 2004-09-08 03:06 AM

引用:
作者ftpftp
cl2.0-3-3-6是分別為tcl-trcd-tras-trp嗎??這樣的順序對嗎??如果對的話,bh5的ram電壓再設2.6v及可,因為我不知道bh5的最佳電壓是多少,用2.6v應該不會傷ram吧

對,沒錯,JEDEC公佈規格中,DDR200/266/333電壓是2.5V,DDR400是2.6V,我個人不喜歡加壓,所以都是用2.6V,最多加到2.7V,這也在誤差範圍中,再上去我就不用了
一般來說,CAS to RAS Delay要設到2比較難,大部分都是3,關於RAS/CAS及RAM大致的工作順序,我這裡有稍微提一下,您不妨看看
http://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?threadid=298246

ftpftp 2004-09-08 01:17 PM

引用:
作者天昏地暗
對,沒錯,JEDEC公佈規格中,DDR200/266/333電壓是2.5V,DDR400是2.6V,我個人不喜歡加壓,所以都是用2.6V,最多加到2.7V,這也在誤差範圍中,再上去我就不用了
一般來說,CAS to RAS Delay要設到2比較難,大部分都是3,關於RAS/CAS及RAM大致的工作順序,我這裡有稍微提一下,您不妨看看
http://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?threadid=298246


天大人真得不錯,你的那發表那篇精典的超頻二三事,在還沒有組k8我就看過了,只是那時沒電腦可以試,看完之後覺得很抽像,現在有電腦可以試了,當然要來玩一下囉!

那現在就是電壓2.6v
CAS Delay 2.0
RAS to CAS Delay 3
RAS Precharge Time 3
RAM Active Timing 6

ps.這樣對嗎??因為技嘉bios調ram參數,和cpu-z列的參數序不太一樣,所以我要搞清楚3是哪一部份的3,請天大再和我指點一下,前兩個參數(cl2.0-3)我都可以確定,那後面的兩個參數是這樣的嗎??

endless0925 2004-09-08 02:27 PM

我也有問題要問天大..:P
最近敗了gskill samsung tcc5 256 MB x2想超頻,可是跑超過270外頻,用memtest86+測都會有error說,可是很多大大都能上300外頻,是單隻才上的了嗎?,我參數用主機板定義2.5-4-4-8跟官方測試的3-4-4-8測memtest86頂多都到270外頻而已,在上去跑都會有error,這樣算正常嗎?還有我電壓值是設2.7v,這樣會太高嗎?不知道會不會傷到記憶體?

starocean 2004-09-09 05:03 AM

引用:
作者jessehu
R.S.T.新的版本是硬體的.軟體版已經有一段時間,拿來測新硬體恐怕未必會準....

同意~~但很多人還是拿來用說~~XD

天昏地暗 2004-09-09 06:02 AM

引用:
作者ftpftp
天大人真得不錯,你的那發表那篇精典的超頻二三事,在還沒有組k8我就看過了,只是那時沒電腦可以試,看完之後覺得很抽像,現在有電腦可以試了,當然要來玩一下囉!

那現在就是電壓2.6v
CAS Delay 2.0
RAS to CAS Delay 3
RAS Precharge Time 3
RAM Active Timing 6

ps.這樣對嗎??因為技嘉bios調ram參數,和cpu-z列的參數序不太一樣,所以我要搞清楚3是哪一部份的3,請天大再和我指點一下,前兩個參數(cl2.0-3)我都可以確定,那後面的兩個參數是這樣的嗎??

Yes,沒錯.........

天昏地暗 2004-09-09 07:05 AM

引用:
作者endless0925
我也有問題要問天大..:P
最近敗了gskill samsung tcc5 256 MB x2想超頻,可是跑超過270外頻,用memtest86+測都會有error說,可是很多大大都能上300外頻,是單隻才上的了嗎?,我參數用主機板定義2.5-4-4-8跟官方測試的3-4-4-8測memtest86頂多都到270外頻而已,在上去跑都會有error,這樣算正常嗎?還有我電壓值是設2.7v,這樣會太高嗎?不知道會不會傷到記憶體?

Samsung TCC5官方規格是DDR466而已,G.Skill之所以標到那麼高,是因為他們說有特別挑過顆粒,至於要上到DDR600,除了只插單支之外,要不就是要運氣好,買到的顆粒棒,不然就是求求一時極限而已,本來就無法長期穩定運作(關於這一點,之前兩派之間就吵很兇了,我不多說了 :p ),至於2.7V,不會太高,但是我自己最多也只用到2.7 or 2.75V,再高就不用了
G.Skill不是還有標到DDR560的TCCD嗎??我想跑DDR550也不行,還因為加壓到2.85V而搞壞RAM,畢竟TCCD Samaung官方規格是DDR500,要衝DDR560似乎.......... :ase

天昏地暗 2004-09-09 07:08 AM

引用:
作者starocean
同意~~但很多人還是拿來用說~~XD

那請問一下Memtest86+ 1.26版算新嗎??可以用嗎??
因為R.S.T出錯的,Memtest86+也會有error,還是說您有什麼比較好的程式可以推薦


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