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- - 順向式?反馳式?半橋式?是幹嘛用的?
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上面的說法不太對吧,轉換效率高,自然就散熱好。和半橋順向 並不一定有關係。
一般而言,在國內,順向式的效率都比半橋的高一些(大部份),所以自然風扇轉慢一些也沒關係。但我的seasonic還是爆醬了,但半橋的hec一樣用3年還是沒事。同樣都是用富之餘電容。但hec是雙風扇很大聲。 |
返馳式,順向式都是屬於單向激磁電路。
返馳式(Fly-back)電路--電路簡單、成本低廉。 返馳式電路在100W以下的應用上極廣,由於它的變壓器又兼作輸出儲能電感使用,且次級端僅需一個二極體,故電路簡單成本低廉,以成本的角度來說,幾乎沒有別的電路能取代。其開關晶體的規格要求為耐電壓600V,耐電流7A以上,而依流過電感的電流波形分為連續式(Continuous)和不連續式(Doscontinuous)兩種,而變壓器因為有氣隙(AIR-GAP)之故,其初級圈具有隔離、變壓和電感的三種功能。其電路只需要改變變壓器初、次級匝數比,就可以得到想要的DC電源。另有二開關式及並聯式返馳電路。 順向式電路,特性與降壓轉換器相同,輸出功率可高於150W。 順向式電路與返馳式電路的主要差別在於功率級(Power stage)的次級側部分,順向式多用了一個蕭特基快速二級體和電感,因此在順向式電路拓樸中,次級側電感及電容除了作為低通濾波器之外,亦為一儲能元件。在元件的採用上和返馳式電路大同小異,然而在功率電晶體截止時(Cut-off)時來自隔離變壓器初級側的反向電動勢與整流電路輸出電壓相累積而成為2Vin,耐壓必需提升至800V以上,故通常都採用耐壓800V的MOSFET。順向式轉換電路有(1)輸出功率可高於150W(2)流經變壓器初級側及次級側的電流較小(因為變壓器不作電感作用,無需加氣隙,故感量高電流小),因此變壓器的銅損(Copper loss)小,所以溫升低,可用小一點的變壓器。缺點是成本增加,因為需考量變壓器磁化電流,須加裝磁化電感。其電路亦有二開關式與並聯式兩種變體。 半橋式(Half Bridge),全橋式(Full Bridge),推挽式(Push-Pull)為雙向激磁電路。 半橋式電路,特點是使用2顆400V開關晶體,兩晶體為互補工作模式,一導通時,另一便截止。基於成本考量,業界通常使用耐電壓400V的電晶體來擔任此任務,PWM IC則常選用以TL494 IC。 全橋式電路,輸出功率可以比半橋式大1倍 全橋式電路需使用四顆耐壓400V的晶體,兩兩互為同步切換運作,類似半橋式電路,但比較全橋式和半橋式電路,在相同的輸出功率下,由於全橋式電路的變壓器初級側輸入電壓為半橋式的兩倍,因此流經全橋式電路晶體開關的電流僅有半橋式電路的一半,所以若使用相同耐電壓、耐電流的電晶體,全橋式電路輸出的功率可比半橋式大一倍,PWM IC則常以TL494 IC加上一些CMOS/TTL邏輯閘來製作。 推挽式電路,提供大功率需求,優點是次級輸出壓降低。 雖然電路結構很像半橋式電路,但其開關晶體多採用耐壓800V的POWER MOSFET,這是和半橋式電路的最大不同點,常用的MOSFET規格與順向式電路所用的MOSFET規格相同,亦有業者為考量到PWM電壓/電流驅動模式及節省成本而使用耐壓800V以上的BJT來取代,但較不多見。推挽式電路和半橋式電路同樣使用兩個開關元件,只是電路的接法不同,但較大功率需求的產品如UPS、通信設備或儀器用電源多使用此種架構,是因為隔離變壓器要傳遞相同能量時,半橋式電路的變壓器初級側電流要比推挽式電路高上一倍,使得變壓器本身的磁滯損失和渦流損失增加而提高溫升,而使用較大的變壓器不僅增加成本,且在某些應用上,變壓器體積過大會顯得較為麻煩。PWM IC多採用TL494來製作。推挽式電路缺點是開關元件需使用耐壓高達800V以上的MOSFET(多使用IR及Infineon的MOSFET),故以價格導向且數量龐大的產品(例如廉價個人電腦電源供應器市場)較不會採用之,而多採用半橋式架構為多。 |
大大們說的對小弟這個非電子相關科系的人來說像希臘文一樣難懂:jolin:
總之,順向式的power成本比較高是一定的, 半橋式因為成本低所以大部分power都採用 但發熱量跟工程師功力有關,如果轉換效率做的好,半橋式也可以比順向式的涼快 至於全橋式,推挽式,反馳式,因為一般家用power很少用到,所以小弟不研究 不知道這樣說對不對? |
返馳式常見於小型裝置電源,如外面買的小型電子變壓器,手機充電器等功率100W或以下的產品。
至於全橋式及推挽式,多用在UPS及大容量工業電源供應器上 |
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