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SLC : single bit per cell 寫入次數：100000
MLC : 2 bits per cell 寫入次數：3000 -10000
TLC : 3 bits per cell 寫入次數：500-1000

SLC、MLC和TLC
2010/07/19-連于慧
X3(3-bit-per-cell)架構的TLC晶片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個記憶體儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術接棒後，架構演進為1個記憶體儲存單元存放2位元。

2009年TLC架構正式問世，代表1個記憶體儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。

如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠東芝(Toshiba)引發戰火，之後三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰局，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。

TLC晶片雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，像是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

像是內嵌世紀液體應用、智慧型手機(Smartphone)、固態硬碟(SSD)等技術門檻高，對於NAND Flash效能講求高速且不出錯等應用產品，則一定要使用SLC或MLC晶片。

2010年NAND Flash市場的主要成長驅動力是來自於智慧型手機和平板電腦，都必須要使用SLC或MLC晶片，因此這兩種晶片都處於缺貨狀態，而TLC晶片卻是持續供過於求，且將整個產業的平均價格往下拉，使得市調機構iSuppli在統計2010年第2季全球NAND Flash產值時，出現罕見的市場規模縮小情況發生，從2010年第1季43億美元下降至41億美元，減少6.5%。